Interface circuit The part **TDE1747DP** is manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Part Number:** TDE1747DP  
- **Type:** Dual NPN/PNP Resistor-Equipped Transistor (RET)  
- **Configuration:** Dual NPN + PNP transistors with built-in resistors  
- **Package:** DIP-8 (Dual In-line Package)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):**  
  - NPN: -50V  
  - PNP: 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):**  
  - NPN: -50V  
  - PNP: 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):**  
  - NPN: 5V  
  - PNP: -5V  
- **Collector Current (I_C):** ±100mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 500mW  
- **Built-in Base Resistors:**  
  - NPN: 10kΩ  
  - PNP: 10kΩ  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **TDE1747DP** is a dual NPN/PNP transistor array with integrated base resistors, designed for general-purpose switching and amplification applications. It is housed in an 8-pin DIP package, making it suitable for through-hole PCB mounting.

### **Features:**  
- **Dual NPN and PNP transistors** in a single package  
- **Integrated base resistors** for simplified circuit design  
- **High voltage capability** (up to 50V)  
- **Low power dissipation** (500mW)  
- **Compact DIP-8 package** for easy PCB integration  
- **Suitable for switching and amplification** in digital and analog circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For exact performance characteristics, refer to the official STMicroelectronics datasheet.