INTERFACE CIRCUIT The part **TDE1647DP** is a **Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET** manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A (per channel)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for efficient power handling  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **Suitable for power management** in DC-DC converters, motor control, and switching applications  

### **Applications:**  
- Power supplies  
- Motor drivers  
- DC-DC converters  
- Load switches  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official STMicroelectronics documentation.