### **Specifications:**  
- **Type:** Digital Transistor (Bipolar)  
- **Configuration:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 1000 (min)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions and Features:**  
- **Built-in Resistors:** Contains integrated base-emitter and base resistors for simplified circuit design.  
- **High Current Gain:** Provides high amplification efficiency.  
- **Compact Package:** SOT-23 package suitable for space-constrained applications.  
- **Applications:** Used in switching and amplification circuits, such as in digital logic interfaces and driver circuits.  

This information is based on TOSHIBA's documented specifications for the TD6358N.