### **Specifications:**  
- **Type:** Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)  
- **Configuration:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 82 to 390 (depending on conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- A digital transistor with built-in bias resistors for simplified circuit design.  
- Suitable for switching and amplification applications.  
- Compact and efficient for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- Integrated bias resistors (R1 and R2).  
- Low saturation voltage.  
- High current gain.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Source: Toshiba Semiconductor Datasheet)