### **Specifications:**  
- **Type:** Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)  
- **Configuration:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 82 to 390 (depending on conditions)  
- **Built-in Resistors:**  
  - R1 (Base Resistor): 10kΩ  
  - R2 (Base-Emitter Resistor): 10kΩ  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TD6134AF is a digital transistor with built-in bias resistors, simplifying circuit design by reducing external component count.  
- It is designed for switching and amplification in low-power applications.  

### **Features:**  
- **Compact Design:** Integrates resistors for space-saving PCB layouts.  
- **Improved Noise Immunity:** Built-in resistors enhance stability.  
- **Wide hFE Range:** Suitable for various amplification requirements.  
- **SOT-23 Package:** Small surface-mount form factor.  

For exact performance characteristics, refer to the **Toshiba datasheet**.

### **Specifications:**  
- **Type:** Darlington Transistor Array  
- **Configuration:** 7-channel (7 NPN Darlington pairs)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Maximum Collector Current (IC):** 500mA per channel  
- **Input Voltage (VIH):** 2.5V (min) for logic high  
- **Input Current (IIH):** 10μA (max)  
- **Output Saturation Voltage (VCE(sat)):** 1.6V (max) at 500mA  
- **Operating Temperature Range:** -30°C to +85°C  
- **Package Type:** DIP-16  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for interfacing between low-level logic circuits and high-power loads.  
- Includes built-in suppression diodes for inductive load protection.  
- Suitable for driving relays, lamps, LEDs, and solenoids.  
- High current gain (Darlington configuration).  
- Compatible with TTL, CMOS, and PMOS logic levels.  
- Internal input resistors simplify circuit design.  

(Note: Always refer to the official datasheet for detailed electrical characteristics and application guidelines.)

### **Specifications:**  
- **Type:** Bipolar Digital Transistor (Built-in Resistor)  
- **Configuration:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 82-390 (at VCE = 5V, IC = 2mA)  
- **Turn-On Time (ton):** 0.3µs (max)  
- **Turn-Off Time (toff):** 0.3µs (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Built-in Resistors:** Includes base resistors (R1 = 4.7kΩ, R2 = 4.7kΩ) for simplified circuit design.  
- **High Voltage Tolerance:** Suitable for applications requiring up to 50V.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for digital switching applications.  
- **Compact Package:** Available in a small surface-mount (SOT-23) package.  
- **Applications:** Used in digital circuits, driver circuits, and switching applications.  

(No additional guidance or suggestions provided.)