### **Specifications:**  
- **Type:** Digital Transistor (Bipolar Transistor with Built-in Resistors)  
- **Polarity:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -100mA  
- **Power Dissipation (PD):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 56 (min) to 112 (max)  
- **Built-in Resistors:**  
  - R1 (Base Resistor): 4.7kΩ  
  - R2 (Base-Emitter Resistor): 10kΩ  
- **Package:** SOT-23 (Miniature Surface-Mount Package)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for switching and amplification in compact electronic circuits.  
- Includes built-in bias resistors for simplified circuit design.  
- Suitable for high-density mounting due to its small SOT-23 package.  
- Used in applications like load switching, signal amplification, and interface circuits.  
- Low power consumption and high reliability.  

For exact application details, refer to the official TOSHIBA datasheet.