MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC The **TC59S6416BFT-80** is a **512K x 16-bit CMOS Synchronous DRAM** manufactured by **Toshiba**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 512K words × 16 bits  
- **Operating Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 80ns (max)  
- **Package:** 54-pin TSOP (Type II)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles every 64ms  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency:** 2 or 3  

### **Features:**  
- **Synchronous operation** with system clock  
- **Auto refresh and self refresh** modes  
- **Programmable burst length**  
- **Single 3.3V power supply**  
- **Low power standby mode**  
- **Compatible with JEDEC standard**  

This DRAM is designed for high-speed memory applications requiring synchronous operation.

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC The TC59S6416BFT-80 is a synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** TC59S6416BFT-80  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 64Mbit (4M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 Banks × 1M words × 16 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Clock Frequency:** 80MHz (12.5ns cycle time)  
- **Access Time:** 6ns (CL=2)  
- **Interface:** LVTTL  
- **Package:** 54-pin TSOP (Type II)  
- **Refresh:** 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Supports a clock frequency of up to 80MHz.  
- **Burst Mode:** Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports both modes for power efficiency.  
- **CAS Latency Options:** Supports CAS latencies of 2 and 3.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low power consumption.  
- **Fully Synchronous:** All signals are registered on the positive edge of the clock.  
- **Bank Architecture:** 4-bank operation for efficient memory management.  
- **Industrial Standard Pinout:** Compatible with other 16-bit SDRAMs.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC