MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC The part **TC59S6408BFT-10** is a **64M (8M x 8) Bit CMOS Synchronous DRAM** manufactured by **Toshiba**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 8M words × 8 bits  
- **Density:** 64M bit  
- **Voltage Supply:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed Grade:** -10 (10ns access time)  
- **Package:** 54-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Synchronous  
- **Refresh:** 8,192 cycles / 64ms (Auto Refresh & Self Refresh supported)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency:** 2 or 3 (programmable)  

### **Features:**  
- **Fully Synchronous Operation** with a single 3.3V power supply  
- **Programmable Burst Length** (1, 2, 4, 8, or full page)  
- **Auto Precharge & Auto Refresh** functions  
- **Low Power Consumption** (standby and power-down modes supported)  
- **Compatible with JEDEC Standard** for 3.3V Synchronous DRAMs  

This part is designed for high-speed memory applications requiring efficient data access and low power consumption.

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC