MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC 288Mbits Network FCRAM2 The **TC59LM818DMG-33** is a memory product manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** TC59LM818DMG-33  
- **Memory Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (16M x 8)  
- **Organization:** 16M words × 8 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 33MHz (30ns access time)  
- **Package:** 54-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Supports clock frequencies up to 33MHz.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for 3.3V operation.  
- **Synchronous Interface:** Fully synchronous with a single clock input.  
- **Burst Mode Support:** Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports both modes for power efficiency.  
- **CAS Latency Options:** Configurable CAS latency (2 or 3).  
- **Common I/O Design:** Separate data input and output paths for improved performance.  

This information is based on TOSHIBA’s official documentation for the **TC59LM818DMG-33** SDRAM. For detailed datasheets, refer to TOSHIBA’s official resources.

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC 288Mbits Network FCRAM2