(TC58NVG1S8BFT00) 2 GBit CMOS NAND EPROM The **TC58NVG1S3BFT00** is a NAND flash memory product manufactured by **TOSHIBA**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 1Gb (128MB)  
- **Organization:**  
  - Page Size: 2,112 bytes (2,048 + 64 bytes spare)  
  - Block Size: 128KB (64 pages per block)  
  - Plane Size: 1 plane  
- **Interface:** Asynchronous 8-bit I/O  
- **Voltage Supply:**  
  - **Vcc:** 2.7V - 3.6V  
- **Speed:**  
  - Page Read Time: 25µs (max)  
  - Page Program Time: 300µs (typical)  
  - Block Erase Time: 2ms (typical)  
- **Endurance:**  
  - 100,000 program/erase cycles (minimum)  
- **Data Retention:**  
  - 10 years (at 25°C)  
- **Operating Temperature:**  
  - Commercial: 0°C to 70°C  
  - Industrial: -40°C to 85°C (if applicable)  
- **Package:**  
  - TSOP48 (48-pin Thin Small Outline Package)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Single-Level Cell (SLC) Technology:** Provides high reliability and endurance.  
- **On-Die ECC (Error Correction Code):** Supports data integrity.  
- **Asynchronous NAND Interface:** Compatible with standard NAND flash controllers.  
- **Hardware Data Protection:** Includes write-protect and power-on reset functions.  
- **Sequential Read/Write Operations:** Optimized for high-speed data transfer.  
- **Bad Block Management:** Supports factory-marked bad blocks.  

This NAND flash memory is commonly used in embedded systems, industrial applications, and consumer electronics requiring reliable non-volatile storage.  

(Note: For the most accurate and updated details, refer to the official **TOSHIBA datasheet**.)

(TC58NVG1S8BFT00) 2 GBit CMOS NAND EPROM