1 GBit CMOS NAND EPROM The **TC58NVG0S3AFT05** is a NAND flash memory product manufactured by **TOSHIBA**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 4Gb (512MB)  
- **Organization:**  
  - Page Size: 4KB + 128B (Spare Area)  
  - Block Size: 256KB + 8KB (Spare Area)  
  - Plane Size: 2 planes  
- **Interface:** Asynchronous NAND  
- **Supply Voltage:**  
  - **Vcc:** 2.7V – 3.6V  
- **Operating Temperature Range:**  
  - Commercial: 0°C to +70°C  
  - Industrial: -40°C to +85°C  
- **Package:**  
  - **TSOP48** (48-pin Thin Small Outline Package)  
- **Endurance:**  
  - Typically 100,000 program/erase cycles per block  
- **Data Retention:**  
  - Up to 10 years (depending on usage conditions)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Performance NAND Flash:** Designed for applications requiring reliable non-volatile storage.  
- **Asynchronous Interface:** Supports standard NAND flash command protocols.  
- **Error Management:** Includes built-in ECC (Error Correction Code) support for data integrity.  
- **Multi-Plane Operation:** Enables faster read/write operations by utilizing two planes.  
- **Compatibility:** Works with industry-standard NAND flash controllers.  
- **Applications:** Used in embedded systems, consumer electronics, industrial devices, and storage solutions.  

This information is based on TOSHIBA's official documentation and industry-standard specifications for the TC58NVG0S3AFT05 NAND flash memory.

1 GBit CMOS NAND EPROM