8 MBIT (1M X 8 BITS / 512K X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY The TC58FVT800FT-12 is a NAND flash memory chip manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 8Gb (1GB)  
- **Organization:**  
  - Page Size: 4KB + 128B spare  
  - Block Size: 256KB (64 pages per block)  
- **Interface:** Asynchronous (8-bit I/O)  
- **Voltage Supply:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Speed:**  
  - Page Read Time: 25μs (typical)  
  - Page Program Time: 200μs (typical)  
  - Block Erase Time: 2ms (typical)  
- **Package:** TSOP-48  

### **Descriptions:**
- The TC58FVT800FT-12 is a single-level cell (SLC) NAND flash memory designed for high reliability and endurance.  
- It supports a standard NAND flash interface with command, address, and data multiplexed on an 8-bit I/O bus.  
- Includes an integrated ECC (Error Correction Code) engine for data integrity.  

### **Features:**
- **High Performance:** Fast read, program, and erase operations.  
- **Reliability:** SLC NAND technology ensures long lifespan (typically 100K program/erase cycles per block).  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered and portable devices.  
- **On-Chip Bad Block Management:** Supports automatic bad block handling.  
- **Hardware Data Protection:** Write-protect feature to prevent accidental modification.  

This information is based on Toshiba's official documentation and industry-standard specifications for the TC58FVT800FT-12.

8 MBIT (1M X 8 BITS / 512K X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY