32-MBIT (4Mx8 BITS/2Mx16 BITS) CMOS FLASH MEMORY The TC58FVT321FT-10 is a NAND flash memory product manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 32Mbit (4M x 8-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 10ns (max)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- The TC58FVT321FT-10 is a 32Mbit (4M x 8-bit) NAND flash memory device designed for high-speed read and write operations.  
- It operates with a single power supply (2.7V - 3.6V) and is suitable for embedded systems, consumer electronics, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High-Speed Performance:** Fast access time of 10ns (max).  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  
- **Reliable Data Retention:** Ensures long-term data storage stability.  
- **Wide Operating Temperature:** Supports industrial-grade temperature ranges (-40°C to +85°C).  
- **TSOP Package:** Compact and suitable for space-constrained designs.  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional guidance or suggestions are included.

32-MBIT (4Mx8 BITS/2Mx16 BITS) CMOS FLASH MEMORY

32-MBIT (4Mx8 BITS/2Mx16 BITS) CMOS FLASH MEMORY The TC58FVT321FT-10 is a NAND flash memory product manufactured by Toshiba (now Kioxia). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- Toshiba (now Kioxia)  

### **Specifications:**  
- **Type:** NAND Flash Memory  
- **Density:** 256Mbit (32M x 8-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Organization:**  
  - 32M words × 8 bits  
  - 528 bytes per page (512 bytes main + 16 bytes spare)  
  - 32 pages per block  
  - 2048 blocks  
- **Access Time:**  
  - Page Read: 25µs (max)  
  - Page Program: 200µs (typical)  
  - Block Erase: 2ms (typical)  
- **Interface:** Asynchronous I/O  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP48 (12mm x 20mm)  

### **Features:**  
- **High Performance:** Fast page read and program operations  
- **Reliability:** Built-in ECC (Error Correction Code) support  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 25mA (typical)  
  - Standby current: 100µA (max)  
- **Endurance:** 100,000 program/erase cycles per block (minimum)  
- **Data Retention:** 10 years (minimum)  

### **Applications:**  
- Used in embedded systems, consumer electronics, and industrial applications requiring non-volatile storage.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and publicly available specifications.

32-MBIT (4Mx8 BITS/2Mx16 BITS) CMOS FLASH MEMORY

32-MBIT (4Mx8 BITS/2Mx16 BITS) CMOS FLASH MEMORY The **TC58FVT321FT-10** is a NAND flash memory product manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 32Mbit (4M x 8-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 10ns (max)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel (x8)  
- **Organization:** 4,194,304 words x 8 bits  
- **Page Size:** 512 bytes + 16 bytes (spare area)  
- **Block Size:** 16KB (32 pages per block)  
- **Endurance:** 100,000 program/erase cycles (typical)  
- **Data Retention:** 10 years (typical)  

### **Descriptions:**  
- The **TC58FVT321FT-10** is a **3.3V NAND flash memory** designed for high-performance storage applications.  
- It supports **asynchronous operation** with a fast access time of 10ns.  
- Features **on-chip error correction (ECC)** for improved data reliability.  
- Suitable for embedded systems, consumer electronics, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** Active current (15mA typical), standby current (20µA typical).  
- **Hardware Data Protection:** Write protect pin for preventing accidental writes.  
- **Sequential Read/Write:** Supports fast page programming and block erase operations.  
- **Reliable Data Storage:** Built-in ECC and wear-leveling support for extended lifespan.  
- **Compatibility:** Industry-standard NAND flash interface for easy integration.  

This information is based on Toshiba's official documentation for the **TC58FVT321FT-10** NAND flash memory.

32-MBIT (4Mx8 BITS/2Mx16 BITS) CMOS FLASH MEMORY

32-MBIT (4Mx8 BITS/2Mx16 BITS) CMOS FLASH MEMORY The **TC58FVT321FT-10** is a NAND Flash Memory IC manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 32Mbit (4M x 8-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 10ns (max)  
- **Organization:**  
  - **Page Size:** 528 bytes (512 + 16 spare bytes)  
  - **Block Size:** 16KB (32 pages per block)  
- **Interface:** Asynchronous  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Endurance:** 100,000 program/erase cycles (typical)  
- **Data Retention:** 10 years (typical)  

### **Descriptions:**  
- The **TC58FVT321FT-10** is a **3.3V NAND Flash Memory** device designed for high-performance and low-power applications.  
- It supports **asynchronous read and write operations** with a **page-based architecture**.  
- Includes **on-chip ECC (Error Correction Code)** for data reliability.  
- Suitable for embedded systems, consumer electronics, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High-Speed Performance:** 10ns access time.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered devices.  
- **Hardware Data Protection:** Write-protect feature.  
- **Automatic Program and Erase:** Simplifies firmware management.  
- **Compatibility:** Industry-standard NAND Flash interface.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

32-MBIT (4Mx8 BITS/2Mx16 BITS) CMOS FLASH MEMORY