TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS The **TC58FVM6B2ATG-65** is a NAND Flash Memory device manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 512Mb (64MB)  
- **Organization:**  
  - 16M words × 32 bits (x32)  
  - 32M words × 16 bits (x16)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (Vcc = 2.7V to 3.6V)  
- **Access Time:** 65ns  
- **Interface:** Asynchronous  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Pin Count:** 48  

### **Descriptions:**  
- The **TC58FVM6B2ATG-65** is a **3.3V NAND Flash Memory** device designed for high-density storage applications.  
- It supports both **x16 and x32 configurations**, providing flexibility in system design.  
- It features **asynchronous operation**, making it suitable for a wide range of embedded and consumer applications.  

### **Features:**  
- **High-Speed Performance:** 65ns access time.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Reliable Data Storage:** NAND Flash architecture ensures efficient data retention.  
- **Wide Operating Voltage:** Supports 2.7V to 3.6V for compatibility with various systems.  
- **Industrial Temperature Range:** Operates reliably in harsh environments (-40°C to +85°C).  

This information is based on Toshiba's official documentation for the **TC58FVM6B2ATG-65** NAND Flash Memory.

TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS