64MBIT (8Mx8 BITS/4Mx16 BITS) CMOS FLASH MEMORY The **TC58FVM6B2AFT65** is a NAND Flash Memory manufactured by **Toshiba**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 2Gb (256MB)  
- **Organization:**  
  - Page Size: 2,112 bytes (2,048 + 64 bytes spare)  
  - Block Size: 128KB (64 pages per block)  
- **Interface:** Asynchronous 8-bit I/O  
- **Voltage Supply:**  
  - **Vcc:** 2.7V - 3.6V  
  - **VccQ (I/O):** 1.7V - 1.95V  
- **Operating Temperature:**  
  - Commercial: 0°C to +70°C  
  - Industrial: -40°C to +85°C  
- **Package:**  
  - **TSOP48** (48-pin Thin Small Outline Package)  
- **Endurance:**  
  - 100,000 program/erase cycles (typical)  
- **Data Retention:**  
  - 10 years (at 40°C)  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:**  
  - Page Read: 50μs (max)  
  - Page Program: 300μs (typical)  
  - Block Erase: 2ms (typical)  
- **On-Chip ECC (Error Correction Code):** Supports 1-bit ECC per 528 bytes  
- **Command/Address/Data Multiplexed I/O:** Reduces pin count  
- **Power-On Auto Read:** Reads device ID automatically  
- **Partial Page Programming:** Allows multiple programming within a page  
- **Bad Block Management:** Supports factory-marked and user-marked bad blocks  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read: 25mA (typical)  
  - Standby: 100μA (max)  

This NAND Flash is commonly used in **embedded systems, consumer electronics, and industrial applications** requiring reliable non-volatile storage.  

*(Source: Toshiba datasheet for TC58FVM6B2AFT65)*

64MBIT (8Mx8 BITS/4Mx16 BITS) CMOS FLASH MEMORY