32MBIT (4M ?8 BITS/2M ?16 BITS) CMOS FLASH MEMORY The **TC58FVM5B2AFT65** is a NAND flash memory product manufactured by **Toshiba (now Kioxia)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Manufacturer:**  
- **Toshiba (now Kioxia)**  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 512Mbit (64MB)  
- **Interface:** Asynchronous  
- **Organization:**  
  - Page Size: 512 bytes (+16 bytes spare)  
  - Block Size: 16KB (32 pages per block)  
- **Voltage Supply:**  
  - **Vcc:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature:**  
  - Commercial: **0°C to +70°C**  
  - Industrial: **-40°C to +85°C** (if applicable)  
- **Package:**  
  - **TSOP-48** (Thin Small Outline Package)  

### **Features:**  
- **High Reliability:**  
  - Endurance: **100,000 program/erase cycles per block**  
  - Data Retention: **10 years**  
- **On-Chip ECC (Error Correction Code):** Supports error detection and correction.  
- **Fast Access Time:** Suitable for high-speed data transfer applications.  
- **Command Set Compatibility:** Follows standard NAND flash interface protocols.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for portable and embedded systems.  

### **Applications:**  
- Used in **consumer electronics, embedded systems, networking devices, and industrial applications**.  

This information is based on Toshiba's (Kioxia) official documentation. For detailed datasheets, refer to the manufacturer's resources.

32MBIT (4M ?8 BITS/2M ?16 BITS) CMOS FLASH MEMORY

32MBIT (4M ?8 BITS/2M ?16 BITS) CMOS FLASH MEMORY The TC58FVM5B2AFT65 is a NAND flash memory product manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 4Gb (512MB)  
- **Organization:**  
  - Page Size: 2KB + 64B spare  
  - Block Size: 128KB (64 pages per block)  
- **Interface:** Asynchronous  
- **Voltage Supply:**  
  - Vcc (Core): 2.7V - 3.6V  
  - VccQ (I/O): 1.7V - 1.95V  
- **Operating Temperature Range:**  
  - Commercial: 0°C to +70°C  
  - Industrial: -40°C to +85°C  
- **Package:**  
  - 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Endurance:**  
  - 100,000 program/erase cycles (typical)  
- **Data Retention:**  
  - 10 years (typical)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Performance:**  
  - Page Read Time: 25μs (typical)  
  - Page Program Time: 300μs (typical)  
  - Block Erase Time: 2ms (typical)  
- **Reliability:**  
  - Built-in ECC (Error Correction Code) support  
  - Bad block management  
- **Low Power Consumption:**  
  - Standby current: < 100μA  
  - Active current: < 30mA (read)  
- **Compatibility:**  
  - Supports standard NAND flash commands  
  - Compatible with ONFI (Open NAND Flash Interface) specifications  
- **Applications:**  
  - Used in embedded systems, consumer electronics, and storage applications.  

This information is based on Toshiba's official documentation for the TC58FVM5B2AFT65 NAND flash memory. For detailed technical parameters, refer to the datasheet.

32MBIT (4M ?8 BITS/2M ?16 BITS) CMOS FLASH MEMORY