64-MBIT (8Mx8 BITS/4Mx16 BITS) CMOS FLASH MEMORY The **TC58FVB641FT-10** is a NAND Flash Memory product manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 64Mbit (8M x 8-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Organization:**  
  - Page Size: 512 bytes (+16 bytes spare)  
  - Block Size: 16K bytes (32 pages per block)  
- **Access Time:** 10µs (max)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Asynchronous  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Performance:** Fast read and program operations with a 10µs access time.  
- **Reliability:** Includes **16 bytes of spare area per page** for ECC (Error Correction Code) or bad block management.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  
- **Command-Based Operation:** Supports standard NAND Flash commands for read, program, and erase operations.  
- **Block Erase Function:** Allows erasing in **16KB blocks** for efficient memory management.  
- **Hardware Data Protection:** Features a write-protect pin for preventing accidental writes.  

This device is commonly used in embedded systems, consumer electronics, and other applications requiring non-volatile storage.  

(Note: For detailed timing diagrams, command sets, or additional specifications, refer to the official Toshiba datasheet.)

64-MBIT (8Mx8 BITS/4Mx16 BITS) CMOS FLASH MEMORY