128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM The **TC58DVM82A1FT00** is a NAND flash memory product manufactured by **Toshiba Memory Corporation** (now Kioxia). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 8Gb (1GB)  
- **Organization:**  
  - Page Size: 2KB + 64B (Spare Area)  
  - Block Size: 128KB (64 Pages per Block)  
- **Interface:** Asynchronous NAND  
- **Voltage Supply:**  
  - **Vcc:** 2.7V - 3.6V  
  - **VccQ (I/O Voltage):** 1.7V - 1.95V  
- **Speed:**  
  - **Page Read Time:** 25μs (max)  
  - **Page Program Time:** 300μs (typical)  
  - **Block Erase Time:** 2ms (typical)  
- **Operating Temperature:**  
  - **Commercial Grade:** 0°C to +70°C  
  - **Industrial Grade:** -40°C to +85°C (if available)  
- **Package:**  
  - **Type:** TSOP48 (48-pin Thin Small Outline Package)  
  - **Dimensions:** 12mm × 20mm  

### **Descriptions:**  
- The **TC58DVM82A1FT00** is a single-level cell (SLC) NAND flash memory chip designed for high reliability and endurance.  
- It supports **on-chip ECC (Error Correction Code)** for data integrity.  
- Suitable for embedded systems, industrial applications, and consumer electronics requiring stable storage.  

### **Features:**  
- **SLC NAND Technology:** Ensures high endurance (typically 100,000 program/erase cycles).  
- **Asynchronous Interface:** Compatible with standard NAND flash controllers.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered devices.  
- **Hardware Data Protection:** Includes **write-protect** and **power-on reset** functions.  
- **Bad Block Management:** Supports factory-marked bad blocks and dynamic bad block handling.  

For detailed datasheets or additional technical information, refer to **Kioxia's (formerly Toshiba Memory) official documentation**.

128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM