256-MBIT (32M x 8BITS) CMOS NAND EEPROM The TC58256FT is a 256K-bit (32K x 8) CMOS EEPROM manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 32K x 8 bits  
- **Supply Voltage:** 2.7V to 5.5V  
- **Operating Current:**  
  - Read: 1 mA (max) at 5V  
  - Write: 3 mA (max) at 5V  
- **Standby Current:** 1 µA (typ)  
- **Access Time:** 150 ns (max)  
- **Write Cycle Time:** 5 ms (max)  
- **Endurance:** 1,000,000 write cycles (min)  
- **Data Retention:** 10 years (min)  
- **Interface:** Parallel (8-bit data bus)  
- **Package:** 28-pin SOP (Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- The TC58256FT is a non-volatile memory chip that retains data even when power is removed.  
- It supports byte-write and page-write operations for flexible data storage.  
- Features a hardware write-protect function to prevent accidental writes.  
- Compatible with industrial temperature ranges (-40°C to +85°C).  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** Ideal for battery-powered applications.  
- **High Reliability:** Long data retention and high endurance.  
- **Wide Voltage Range:** Operates from 2.7V to 5.5V.  
- **Page Write Mode:** Allows faster programming of multiple bytes.  
- **Automatic Write Cycle:** Includes internal address latch and timer.  
- **Hardware Write Protection:** Enabled via a dedicated pin (WP).  

This information is based solely on Toshiba's official specifications for the TC58256FT.

256-MBIT (32M x 8BITS) CMOS NAND EEPROM