16 MBIT (2M x 8BITS) CMOS NAND FLASH E2PROM The TC5816BFT is a flash memory device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash Memory  
- **Density:** 16Mbit (2M x 8-bit)  
- **Supply Voltage:** 3.3V (VCC)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  
- **Page Size:** 528 bytes (512 bytes data + 16 bytes spare)  
- **Block Size:** 16K bytes  
- **Erase/Program Cycles:** Typically 100,000 cycles  
- **Data Retention:** Up to 10 years  

### **Descriptions:**  
- The TC5816BFT is a 16Mbit NAND flash memory device designed for applications requiring non-volatile storage.  
- It supports fast read and write operations with a parallel interface.  
- Organized in a page- and block-addressable architecture, making it suitable for data storage in embedded systems.  

### **Features:**  
- **High Reliability:** Supports ECC (Error Correction Code) for data integrity.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  
- **Sequential Read/Write:** Enables efficient data transfer.  
- **Hardware Data Protection:** Includes a write-protect pin for preventing accidental writes.  
- **Compatibility:** Works with standard NAND flash controllers.  

For exact details, refer to Toshiba's official datasheet or product documentation.

16 MBIT (2M x 8BITS) CMOS NAND FLASH E2PROM

16 MBIT (2M x 8BITS) CMOS NAND FLASH E2PROM The TC5816BFT is a 16M-bit (2M x 8-bit) serial flash memory device manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Memory Capacity:** 16M-bit (2M x 8-bit)  
- **Interface:** Serial Peripheral Interface (SPI)  
- **Supply Voltage:**  
  - **VCC:** 2.7V to 3.6V (standard)  
  - **VCC:** 1.65V to 3.6V (low-voltage version, if applicable)  
- **Operating Temperature Range:**  
  - **Industrial Grade:** -40°C to +85°C  
  - **Extended Grade:** -40°C to +105°C (if applicable)  
- **Clock Frequency:** Up to 104 MHz (for high-speed read operations)  
- **Page Size:** 256 bytes  
- **Sector Size:** 4K bytes  
- **Block Size:** 64K bytes  
- **Write Time:**  
  - **Page Program Time:** Typically 0.7 ms (max 3 ms)  
  - **Sector Erase Time:** Typically 60 ms (max 300 ms)  
  - **Block Erase Time:** Typically 0.7 sec (max 2 sec)  
  - **Chip Erase Time:** Typically 15 sec (max 30 sec)  
- **Data Retention:** 20 years (minimum)  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  

### **Descriptions:**
- The TC5816BFT is a **SPI-compatible serial flash memory** designed for high-speed data storage in embedded systems.  
- It supports **single, dual, and quad I/O modes** for faster read operations.  
- Features **software and hardware write protection** to prevent accidental data corruption.  
- Includes a **deep power-down mode** for reduced standby current consumption.  
- Organized in **uniform sectors and blocks**, enabling flexible erase and program operations.  

### **Features:**
- **SPI Modes Supported:**  
  - Standard SPI (Single I/O)  
  - Dual I/O (2-bit data transfer)  
  - Quad I/O (4-bit data transfer)  
- **Advanced Security Features:**  
  - **Software Write Protection:** Lock/unlock specific memory regions.  
  - **Hardware Write Protection (WP# Pin):** Prevents writes when active.  
- **Low Power Consumption:**  
  - **Active Current:** ~15 mA (typical during read at 104 MHz)  
  - **Standby Current:** ~10 µA (typical in deep power-down mode)  
- **High Reliability:**  
  - **ECC (Error Correction Code):** Ensures data integrity.  
  - **Wear-Leveling Support:** Extends memory lifespan.  
- **Package Options:**  
  - **8-pin SOP (150 mil)**  
  - **8-pin USON (2x3 mm)**  

This information is based on Toshiba’s official documentation for the TC5816BFT. For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the **datasheet**.

16 MBIT (2M x 8BITS) CMOS NAND FLASH E2PROM