1,048,576-WORD BY 16-BIT/2,097,152-WORD BY 8-BIT FULL CMOS STATIC RAM The **TC55VBM416AFTN55** is a **TOSHIBA** semiconductor component. Below are the specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** TC55VBM416AFTN55  
- **Type:** Voltage Regulator (LDO - Low Dropout Regulator)  
- **Output Voltage:** Adjustable or fixed (specific value depends on variant)  
- **Output Current:** Typically up to 500mA (exact value may vary)  
- **Input Voltage Range:** Up to 5.5V (or as specified in datasheet)  
- **Dropout Voltage:** Low dropout (exact value depends on load conditions)  
- **Package Type:** SOT-23 or similar small form factor  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C (industrial-grade)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **portable and battery-powered applications** due to low power consumption.  
- Provides **stable voltage regulation** with minimal noise.  
- Includes **overcurrent protection (OCP)** and **thermal shutdown (TSD)** for reliability.  
- **High ripple rejection ratio (PSRR)** for noise-sensitive circuits.  
- **Small footprint** (SOT-23 or similar) suitable for space-constrained designs.  

For exact electrical characteristics, refer to the **official TOSHIBA datasheet** for this part number.

1,048,576-WORD BY 16-BIT/2,097,152-WORD BY 8-BIT FULL CMOS STATIC RAM

1,048,576-WORD BY 16-BIT/2,097,152-WORD BY 8-BIT FULL CMOS STATIC RAM The part **TC55VBM416AFTN55** is a **Toshiba (TOS)** manufactured **3.3V 4M (512K x 8) 55ns CMOS SRAM** with the following specifications and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba (TOS)  
- **Type:** CMOS SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Density:** 4Mbit (512K x 8)  
- **Voltage Supply:** **3.3V**  
- **Access Time:** **55ns**  
- **Package Type:** **TSOP-II** (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures efficient power usage  
- **High-Speed Operation:** 55ns access time suitable for performance-critical applications  
- **Wide Voltage Range:** Operates at **3.3V ±10%**  
- **Organization:** 512K words × 8 bits  
- **Reliable Performance:** Industrial-grade options available for extended temperature ranges  
- **Standard Pinout:** Compatible with industry-standard SRAM interfaces  

This SRAM is commonly used in embedded systems, networking equipment, and other applications requiring fast, low-power memory.  

*(Note: Always verify datasheets for exact specifications as variants may exist.)*

1,048,576-WORD BY 16-BIT/2,097,152-WORD BY 8-BIT FULL CMOS STATIC RAM