65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM The TC55V1864J-15 is a DRAM (Dynamic Random-Access Memory) component manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TC55V1864J-15  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 16M words × 4 bits (64Mbit)  
- **Organization:** 4M × 16 bits (4 banks)  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 15ns (CL=3 at 66MHz)  
- **Operating Frequency:** 66MHz  
- **Package:** 50-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh or self-refresh  
- **Interface:** LVTTL (Low Voltage TTL)  

### **Descriptions:**
- The TC55V1864J-15 is a high-speed CMOS synchronous DRAM designed for applications requiring high-density memory with fast access times.  
- It supports burst read/write operations and programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- Features four internal banks for efficient memory management.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled commands and data transfers.  
- **Burst Mode Support:** Enhances data transfer efficiency.  
- **Auto Precharge:** Optional for row management.  
- **CAS Latency (CL):** Programmable (2 or 3).  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes available.  
- **Compliant with JEDEC Standards:** Ensures industry compatibility.  

This information is based on Toshiba’s official documentation for the TC55V1864J-15. For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the datasheet.

65,536-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM