MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM The TC55V1664BJ-12 is a 16M (1M x 16) CMOS dynamic RAM (DRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 1M words × 16 bits  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 120 ns (max)  
- **Cycle Time:** 200 ns (min)  
- **Refresh Cycles:** 1024 cycles every 16 ms  
- **Package:** 42-pin plastic SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  

### **Descriptions:**
- The TC55V1664BJ-12 is a high-speed, low-power DRAM designed for applications requiring high-density memory.  
- It features a fast page mode operation for improved performance.  
- The device includes an automatic refresh capability (CAS-before-RAS refresh).  

### **Features:**
- **Fast Page Mode Operation:** Reduces access time for consecutive reads in the same row.  
- **Single 5V Power Supply:** Simplifies system design.  
- **Low Power Consumption:** Ideal for battery-powered applications.  
- **CAS-before-RAS Refresh:** Supports simplified refresh control.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with standard logic levels.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the TC55V1664BJ-12.

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM The TC55V1664BJ-12 is a 16M (1M x 16) CMOS Synchronous DRAM manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 1M words × 16 bits  
- **Memory Capacity:** 16M bits  
- **Operating Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 12 ns (CL=3)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Package:** 54-pin TSOP (Type II)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled for high-speed data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **CAS Latency Options:** Supports CAS latencies of 2 or 3.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes both modes for power efficiency.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low power consumption.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 12 ns access time (CL=3).  
- **Four-Bank Architecture:** Reduces access conflicts.  
- **Programmable Burst Length:** Enhances flexibility in data transfer.  
- **Low Power Consumption:** Ideal for portable and battery-powered devices.  
- **Compatible with JEDEC Standards:** Ensures industry-standard compliance.  

This DRAM is commonly used in applications requiring high-speed memory, such as networking equipment, embedded systems, and consumer electronics.

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM