MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM The TC55V1664BJ-10 is a 16M (1M x 16) CMOS Synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 1M words × 16 bits  
- **Density:** 16M (16,777,216 bits)  
- **Voltage Supply:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 10ns (CL=3)  
- **Operating Frequency:** 100MHz  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles / 64ms  
- **Package:** 54-pin TSOP (Type II)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**
- **Synchronous Operation:** Clock-synchronized for high-speed data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Supports programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **CAS Latency Options:** Supports CAS latencies of 2 and 3.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes both auto-refresh and self-refresh modes.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low power consumption.  

### **Features:**
- Fully compatible with JEDEC-standard SDRAM specifications.  
- Internal pipelined architecture for high-speed operation.  
- Four internal banks for concurrent operations.  
- Programmable burst read and write operations.  
- Auto precharge function for improved efficiency.  
- Data mask (DQM) control for byte-wise access.  

This SDRAM is commonly used in applications requiring high-speed memory, such as networking equipment, embedded systems, and consumer electronics.

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM