262,144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM The TC55V16256J-12 is a 4M-Word × 16-bit CMOS Synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 4M words × 16 bits  
- **Density:** 64Mbit (4M × 16)  
- **Operating Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 12ns (CL=3)  
- **Clock Frequency:** 83MHz (max)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles / 64ms  
- **CAS Latency (CL):** 2, 3 (programmable)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, full page (programmable)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil width)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  

### **Descriptions:**
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply.  
- Internal pipelined architecture for high-speed data transfer.  
- Supports auto refresh and self refresh modes.  
- Programmable burst read and write operations.  
- Compatible with JEDEC-standard SDRAM specifications.  

### **Features:**
- **High-Speed Operation:** Supports up to 83MHz clock frequency.  
- **Low Power Consumption:** Auto power-down and self refresh modes reduce power usage.  
- **Burst Mode:** Supports sequential and interleaved burst types.  
- **Input/Output:** LVTTL-compatible I/O interface.  
- **Bank Structure:** 4 internal banks for efficient memory management.  
- **Industrial Standard Pinout:** Ensures compatibility with other SDRAM devices.  

This SDRAM is commonly used in applications requiring high-speed data processing, such as networking equipment, telecommunications, and embedded systems.

262,144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM