262, 144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM The TC55V16256FTI-15 is a 16M (512K-word × 32-bit) CMOS Synchronous DRAM manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 16M (512K-word × 32-bit)  
- **Organization:** 512K words × 32 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 15ns (CL=3)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 86-pin Plastic TSOP (II)  

### **Descriptions:**
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Interface:** Fully synchronous with a single 3.3V power supply  
- **Burst Mode:** Supports programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page)  
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3 cycles)  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supported  

### **Features:**
- **High-Speed Operation:** 15ns access time (CL=3)  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes available  
- **Burst Read/Write Operations:** Enhances data transfer efficiency  
- **Four Internal Banks:** Allows concurrent operations  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with standard CMOS levels  
- **RoHS Compliant:** Lead-free and environmentally friendly  

This information is based on Toshiba's official documentation for the TC55V16256FTI-15.

262, 144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM

262, 144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM The TC55V16256FTI-15 is a 16M (1M x 16) bit CMOS Fast Page Mode DRAM manufactured by Toshiba.  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 1M words × 16 bits  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 15 ns (max)  
- **Package:** 40-pin TSOP (Type II)  
- **Refresh Cycles:** 1,024 cycles every 16 ms (CAS-before-RAS refresh or self-refresh)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Features:**  
- **Fast Page Mode Operation** for high-speed access  
- **Single 5V Power Supply**  
- **CAS-before-RAS Refresh** and **Self-Refresh** supported  
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs**  
- **Three-State Outputs**  
- **Low Power Consumption** (standby current reduced in self-refresh mode)  

This DRAM is designed for applications requiring high-speed, low-power memory solutions, such as embedded systems and computing devices.

262, 144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM