262, 144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM The TC55V16256FTI-12 is a 16M (1M words × 16 bits) CMOS Fast Page Mode DRAM manufactured by Toshiba.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 1M words × 16 bits  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 60ns (max)  
- **Cycle Time:** 100ns (min)  
- **Package:** 40-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Refresh Cycles:** 1024 cycles/16ms  

### **Features:**  
- **Fast Page Mode Operation:** Supports high-speed sequential access.  
- **Single 5V Power Supply:** Compatible with standard logic levels.  
- **Low Power Consumption:** Standby current reduced in power-down mode.  
- **Common I/O Structure:** Separate data input and output pins.  
- **CAS Before RAS Refresh (CBR):** Simplifies refresh control.  
- **Auto Refresh and Self Refresh:** Supports different refresh modes.  

This DRAM is designed for applications requiring high-speed, low-power memory, such as embedded systems and industrial electronics.

262, 144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM

262, 144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM The TC55V16256FTI-12 is a 16M (1M words × 16 bits) CMOS Static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 12 ns (max)  
- **Operating Current:** 80 mA (typical)  
- **Standby Current:** 3 mA (typical in CMOS mode)  
- **Package:** 44-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  

### **Descriptions:**
- **Type:** High-speed CMOS SRAM  
- **Functionality:** Fully static operation, no clock or refresh required  
- **Interface:** Common I/O (input/output shared)  
- **Control Signals:**  
  - Chip Enable (CE)  
  - Output Enable (OE)  
  - Write Enable (WE)  
  - Byte Control (LB, UB)  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:**  
  - CMOS standby mode reduces power when inactive.  
- **High-Speed Operation:**  
  - 12 ns access time for fast read/write operations.  
- **Wide Voltage Range:**  
  - Supports 3.3V ± 0.3V operation.  
- **Byte Control:**  
  - Lower Byte (LB) and Upper Byte (UB) controls for flexible data access.  
- **Reliable Operation:**  
  - Fully static design ensures stable performance without refresh cycles.  
- **Industry-Standard Pinout:**  
  - Compatible with other 16-bit SRAMs in the same package.  

This SRAM is commonly used in applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking equipment, telecommunications, and embedded systems.

262, 144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM

262, 144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM The TC55V16256FTI-12 is a 16M (1M x 16) CMOS Fast Static RAM (Fast SRAM) manufactured by Toshiba.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 1M words × 16 bits  
- **Operating Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Access Time:** 12 ns  
- **Operating Current:** 85 mA (typical)  
- **Standby Current:** 5 mA (typical) in CMOS level  
- **Package:** 44-pin TSOP (Type II)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **I/O Interface:** 3.3V TTL-compatible  

### **Features:**  
- **Fast Access Time:** 12 ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 85 mA (typical)  
  - Standby current: 5 mA (CMOS level)  
- **Single 3.3V Power Supply**  
- **Fully Static Operation:** No refresh required  
- **Three-State Outputs**  
- **Byte Control (Upper and Lower Byte Enable)**  
- **Automotive-Grade Temperature Range (-40°C to +85°C)**  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast access times and low power consumption.

262, 144-WORD BY 16-BIT CMOS STATIC RAM