65,536 bit static random access memory organized as 8,192 words by 8 bits using CMOS technology The TC5565AFL-10 is a 65,536-word by 8-bit high-speed static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 65,536 words × 8 bits  
- **Access Time:** 10 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ± 10%  
- **Operating Current:** 80 mA (max)  
- **Standby Current:** 5 mA (max)  
- **Package:** 28-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** 10 ns access time for fast data processing.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures low standby current.  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required.  
- **Single 5V Power Supply:** Compatible with standard TTL levels.  
- **Three-State Outputs:** Supports bus-oriented applications.  
- **Wide Temperature Range:** Suitable for commercial applications.  
- **Reliable Performance:** Manufactured by Toshiba with high-quality standards.  

This SRAM is commonly used in high-performance computing, networking, and embedded systems requiring fast and reliable memory access.

65,536 bit static random access memory organized as 8,192 words by 8 bits using CMOS technology

65,536 bit static random access memory organized as 8,192 words by 8 bits using CMOS technology The TC5565AFL-10 is a high-speed 64K (8K x 8) static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 8K x 8-bit  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 10 ns (max)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Package Type:** 28-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Power Supply Current (Active):** 60 mA (max)  
- **Power Supply Current (Standby):** 10 mA (max)  
- **Data Retention Voltage:** 2V (min)  
- **Data Retention Current:** 1 µA (max)  

### **Descriptions:**
- The TC5565AFL-10 is a CMOS static RAM designed for high-speed applications.  
- It features a fully static operation, meaning no clock or refresh is required.  
- The device is compatible with TTL levels for easy interfacing.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 10 ns access time for fast read/write operations.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures low active and standby currents.  
- **Wide Operating Voltage Range:** 4.5V to 5.5V.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures easy integration with TTL logic circuits.  
- **Tri-State Outputs:** Allows bus sharing in multi-device systems.  
- **Data Retention Mode:** Maintains data at reduced voltage (2V min) for battery backup applications.  

This SRAM is suitable for cache memory, buffer storage, and other high-speed computing applications.

65,536 bit static random access memory organized as 8,192 words by 8 bits using CMOS technology