25ns; 120mA; V(cc): -0.1 to +7V; V(in/out); -2.0 to +7.0V; 1W; silicon gate CMOS 65.536 words x 4 Bits CMOS static RAM The TC55465AP-25 is a static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** 65,536-word × 8-bit Static RAM (SRAM)
- **Organization:** 64K × 8
- **Operating Voltage:** 5V ±10%
- **Access Time:** 25 ns (max)
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C
- **Package:** 28-pin Plastic DIP (Dual In-line Package)
- **Power Consumption:** 
  - Active: 350 mW (typical)
  - Standby: 5 mW (typical)

### **Descriptions:**
- The TC55465AP-25 is a high-speed CMOS static RAM designed for applications requiring fast access times and low power consumption.
- It features a fully static operation, meaning no clock or refresh is required.
- The device is compatible with TTL levels for easy interfacing with microprocessors and other logic circuits.

### **Features:**
- **High-Speed Operation:** 25 ns access time.
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures low power in both active and standby modes.
- **Single 5V Power Supply:** Simplifies system design.
- **Fully Static Operation:** No refresh cycles needed.
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures easy integration with TTL logic.
- **Tri-State Outputs:** Allows for bus-oriented applications.
- **Reliable Performance:** Manufactured by Toshiba with high-quality standards.

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

25ns; 120mA; V(cc): -0.1 to +7V; V(in/out); -2.0 to +7.0V; 1W; silicon gate CMOS 65.536 words x 4 Bits CMOS static RAM