35ns; V(dd): -0.5 to +7.0V; 1W; 32,768 word x 8-bit CMOS static RAM **Manufacturer:** TOSHIBA  

**Part Number:** TC55328P-35  

### **Specifications:**  
- **Type:** SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Organization:** 32K x 8 bits (256Kbit)  
- **Access Time:** 35 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Package:** 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to 70°C (Commercial)  
- **Standby Current:** Low power consumption in standby mode  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Operation:** Suitable for applications requiring fast access times.  
- **Fully Static:** No clock or refresh required.  
- **TTL Compatible:** Direct interface with TTL logic levels.  
- **Tri-State Output:** Allows bus sharing in multi-memory systems.  
- **Reliable Performance:** Designed for industrial and commercial applications.  
- **Wide Voltage Tolerance:** Operates within a 5V ±10% range.  

This SRAM is commonly used in embedded systems, industrial controls, and other applications requiring fast, non-volatile memory storage.

35ns; V(dd): -0.5 to +7.0V; 1W; 32,768 word x 8-bit CMOS static RAM

35ns; V(dd): -0.5 to +7.0V; 1W; 32,768 word x 8-bit CMOS static RAM The part **TC55328P-35** is a **32K x 8-bit CMOS Static RAM (SRAM)** manufactured by **Toshiba (TOS)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 32K x 8-bit (262,144 bits)  
- **Access Time:** 35 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Package:** 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Technology:** CMOS (Low power consumption)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  

### **Features:**  
- **Fully Static Operation:** No refresh required  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: ~40 mA (typical)  
  - Standby current: ~10 µA (typical)  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs**  
- **Tri-State Outputs**  
- **Single 5V Power Supply**  
- **High Noise Immunity**  

This SRAM is commonly used in embedded systems, industrial controls, and other applications requiring fast, low-power memory.

35ns; V(dd): -0.5 to +7.0V; 1W; 32,768 word x 8-bit CMOS static RAM