25ns; V(dd): -0.5 to +7.0V; 1W; 32,768 word x 8-bit CMOS static RAM The part **TC55328J-25** is manufactured by **Toshiba (TOS)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Organization:** 32K x 8 (256 Kbit)  
- **Speed:** 25 ns (access time)  
- **Voltage Supply:** 5V  
- **Package:** **J-lead** (likely PLCC or SOJ)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) (specific grade may vary)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** Suitable for battery-backed applications.  
- **High-Speed Operation:** 25 ns access time for fast data retrieval.  
- **Wide Voltage Range:** Compatible with standard 5V systems.  
- **Asynchronous Operation:** No clock signal required.  
- **CMOS Technology:** Ensures low power dissipation.  

For exact pinout, timing diagrams, and additional electrical characteristics, refer to the official **Toshiba datasheet** for **TC55328J-25**.

25ns; V(dd): -0.5 to +7.0V; 1W; 32,768 word x 8-bit CMOS static RAM

25ns; V(dd): -0.5 to +7.0V; 1W; 32,768 word x 8-bit CMOS static RAM The part **TC55328J-25** is manufactured by **TOSHIBA**.  

### **Specifications:**  
- **Type**: SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Organization**: 32K x 8 bits (256Kbit)  
- **Speed**: 25ns access time  
- **Voltage Supply**: 5V  
- **Package**: 28-pin Plastic DIP (Dual In-line Package)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Operation**: 25ns access time for fast read/write operations.  
- **Low Power Consumption**: CMOS technology ensures efficient power usage.  
- **Wide Voltage Range**: Operates at a standard 5V supply.  
- **Reliable Performance**: Designed for stable operation in commercial environments.  
- **Standard Package**: 28-pin DIP for easy integration into various circuit designs.  

This SRAM is commonly used in applications requiring fast, volatile memory storage, such as embedded systems, industrial controls, and computing devices.

25ns; V(dd): -0.5 to +7.0V; 1W; 32,768 word x 8-bit CMOS static RAM