MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT The TC55257DPL-85V is a 262,144-bit high-speed static random access memory (SRAM) manufactured by Toshiba. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 32K words × 8 bits (32K × 8)
- **Supply Voltage:** 5V ± 10%
- **Access Time:** 85 ns (max)
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C
- **Package:** 28-pin DIP (Dual In-line Package)
- **Low Power Consumption:**
  - Active: 300 mW (max)
  - Standby: 30 mW (max)
- **Tri-State Outputs:** Allows direct connection to a common bus
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required
- **CMOS Technology:** Ensures low power dissipation

### **Descriptions:**
- The TC55257DPL-85V is a high-performance CMOS SRAM designed for applications requiring fast access times and low power consumption.
- It is commonly used in microprocessor-based systems, cache memory, and other high-speed memory applications.
- The device is fully static, meaning it retains data without the need for refresh cycles.

### **Features:**
- **High-Speed Operation:** 85 ns access time.
- **Low Power CMOS Design:** Reduces power consumption in both active and standby modes.
- **Wide Operating Voltage Range:** 4.5V to 5.5V.
- **Compatible with TTL Levels:** Inputs and outputs are TTL-compatible.
- **Easy Interfacing:** Tri-state outputs facilitate bus-oriented systems.
- **Reliable Data Retention:** Ensures stable operation without data loss.

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the TC55257DPL-85V.

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT