85ns; V(dd/in): -0.3 to +7.0V; silicon gate CMOS: 32,768 word x 8-bit staic RAM The TC55257BSPL-85L is a 262,144-bit (32K x 8-bit) high-speed CMOS static RAM (SRAM) manufactured by **Toshiba**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Organization:** 32K x 8-bit  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 85ns  
- **Operating Current:** 40mA (max)  
- **Standby Current:** 10μA (max) in CMOS mode  
- **Package:** 28-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Data Retention Voltage:** 2V (min)  

### **Descriptions:**  
- **High-Speed CMOS SRAM:** Designed for fast read/write operations.  
- **Low Power Consumption:** Features both active and standby modes for power efficiency.  
- **Wide Voltage Range:** Operates reliably within 4.5V to 5.5V.  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required.  
- **Tri-State Output:** Allows bus compatibility in multi-device systems.  

### **Features:**  
- **Single 5V Power Supply**  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs**  
- **Common I/O Structure**  
- **Automatic Power-Down When Chip is Disabled**  
- **High Noise Immunity**  
- **Industrial Temperature Range Support**  

This SRAM is commonly used in applications requiring fast, low-power memory, such as embedded systems, industrial controls, and communication devices.  

Let me know if you need further details.

85ns; V(dd/in): -0.3 to +7.0V; silicon gate CMOS: 32,768 word x 8-bit staic RAM