100ns; V(dd/in): -0.3 to +7.0V; silicon gate CMOS: 32,768 word x 8-bit staic RAM The **TC55257BSPL-10L** is a **32K x 8-bit CMOS Static RAM (SRAM)** manufactured by **Toshiba**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 32K × 8 bits  
- **Operating Voltage:** 5V (±10%)  
- **Access Time:** 10 ns (max)  
- **Operating Current:** 40 mA (max)  
- **Standby Current:** 10 µA (max)  
- **Package:** 28-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Tri-State Outputs:** Yes  
- **Data Retention Voltage:** 2V (min)  

### **Features:**  
- **High-Speed Operation:** 10 ns access time  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs**  
- **Single 5V Power Supply**  
- **Battery Backup Capability**  

This SRAM is commonly used in applications requiring fast, low-power memory, such as embedded systems, industrial controls, and telecommunications.  

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100ns; V(dd/in): -0.3 to +7.0V; silicon gate CMOS: 32,768 word x 8-bit staic RAM

100ns; V(dd/in): -0.3 to +7.0V; silicon gate CMOS: 32,768 word x 8-bit staic RAM The **TC55257BSPL-10L** is a **32K x 8-bit CMOS Static RAM (SRAM)** manufactured by **Toshiba**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 32K × 8 bits  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 10 ns  
- **Package:** 28-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Current: 40 mA (max)  
  - Standby Current: 10 μA (max)  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required  
- **Tri-State Output:** Allows bus sharing  
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs**  
- **Single 5V Power Supply**  

### **Features:**  
- High-speed access time (10 ns)  
- Low power consumption in both active and standby modes  
- Directly compatible with most microprocessor systems  
- Industrial-standard pin configuration  

This SRAM is suitable for high-performance computing, embedded systems, and other applications requiring fast, low-power memory.

100ns; V(dd/in): -0.3 to +7.0V; silicon gate CMOS: 32,768 word x 8-bit staic RAM