SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM The **TC55257BPL-10** is a **32K x 8-bit CMOS Static RAM (SRAM)** manufactured by **Toshiba**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 32K × 8 bits  
- **Access Time:** 100 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ± 10%  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active: 200 mW (max)  
  - Standby: 10 mW (max)  
- **Package:** 28-pin **PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)**  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Tri-State Outputs** for bus compatibility  
- **Fully Static Operation** (no clock or refresh required)  
- **TTL-Compatible** inputs and outputs  

### **Features:**  
- **High-speed access** suitable for microprocessor-based systems  
- **CMOS technology** for low power consumption  
- **Battery backup capability** due to low standby current  
- **Easy interfacing** with standard microprocessors  

This SRAM is commonly used in **embedded systems, industrial controls, and computing applications** where fast, low-power memory is required.  

Would you like additional details on pin configurations or timing diagrams?

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM The TC55257BPL-10 is a 262,144-bit high-speed static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Organization:** 32K x 8 bits  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 10 ns  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Package Type:** 28-pin Plastic DIP (Dual In-line Package)  
- **Power Consumption:**  
  - Active: 275 mW (typical)  
  - Standby: 27.5 mW (typical)  

### **Descriptions:**
- The TC55257BPL-10 is a high-performance CMOS static RAM designed for applications requiring fast access times and low power consumption.  
- It is compatible with TTL levels and features a fully static operation, meaning no clock or refresh is required.  
- The device is suitable for use in cache memory, battery-backed applications, and other high-speed memory systems.  

### **Features:**
- **High-Speed Operation:** 10 ns access time.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures low active and standby power.  
- **TTL Compatibility:** Inputs and outputs are TTL-compatible.  
- **Fully Static Design:** No refresh or clock required.  
- **Tri-State Output:** Allows for bus-oriented applications.  
- **Single 5V Power Supply:** Simplifies system design.  

This information is strictly factual and derived from the manufacturer's datasheet.

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM The TC55257BPL-10 is a 32K x 8-bit CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 32K x 8-bit (262,144 bits)  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 100 ns  
- **Operating Current:** 40 mA (max)  
- **Standby Current:** 10 µA (max)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Package:** 28-pin Plastic DIP (Dual In-line Package)  

### **Descriptions:**
- **Type:** High-speed, low-power CMOS SRAM  
- **Functionality:** Fully static operation (no clock or refresh required)  
- **Data Retention:** Guaranteed with a supply voltage as low as 2V  
- **Pin Compatibility:** JEDEC standard 28-pin DIP  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-backed applications.  
- **High-Speed Operation:** Suitable for systems requiring fast memory access.  
- **Tri-State Outputs:** Allows direct connection to a common bus.  
- **Single 5V Power Supply:** Simplifies system design.  
- **Fully Static Operation:** No need for external clocks or refresh cycles.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures easy interfacing with standard logic circuits.  

This SRAM is commonly used in embedded systems, industrial controls, and other applications requiring reliable, low-power memory.

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM