SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM The TC55257BFL-85 is a 256K (32K x 8) Static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 32K x 8  
- **Technology:** CMOS  
- **Access Time:** 85 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package Type:** 28-pin Plastic SOP (Small Outline Package)  
- **Pin Count:** 28  
- **Standby Current (Typical):** 10 µA (CMOS standby)  
- **Operating Current (Typical):** 40 mA (at 85 ns access time)  
- **Data Retention Voltage:** 2V (min)  
- **Tri-State Outputs:** Yes  

### **Descriptions:**
- The TC55257BFL-85 is a high-speed, low-power static RAM designed for applications requiring fast access times and low power consumption.  
- It is compatible with TTL levels and features a fully static operation, eliminating the need for external clocks or refresh cycles.  
- The device is suitable for battery-backed or low-power systems due to its CMOS technology.  

### **Features:**
- **High-Speed Access:** 85 ns maximum access time.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 40 mA (typical)  
  - Standby current: 10 µA (typical, CMOS level)  
- **Wide Operating Voltage Range:** 4.5V to 5.5V.  
- **Fully Static Operation:** No refresh required.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs.**  
- **Single 5V Supply Operation.**  
- **Three-State Outputs for Bus Compatibility.**  
- **Industrial Standard Pinout (JEDEC Approved).**  

This SRAM is commonly used in embedded systems, industrial controls, telecommunications, and other applications requiring fast and reliable memory.

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM The TC55257BFL-85 is a 262,144-word by 8-bit CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 262,144 words × 8 bits  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 85 ns  
- **Operating Temperature Range:**  
  - Commercial: 0°C to +70°C  
  - Industrial: -40°C to +85°C  
- **Package:** 28-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Pin Configuration:** Compatible with other 32K × 8 SRAMs  
- **Standby Current:**  
  - CMOS Level: 10 µA (Typ.)  
  - TTL Level: 2 mA (Max.)  
- **Operating Current:** 60 mA (Max.)  

### **Descriptions:**
- **Technology:** High-speed CMOS  
- **Functionality:** Fully static operation—no clock or refresh required  
- **Data Retention:** Guaranteed with 2V minimum supply voltage  
- **I/O Interface:** Common input/output (I/O) pins  
- **Control Signals:**  
  - Chip Enable (CE)  
  - Output Enable (OE)  
  - Write Enable (WE)  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:** Ideal for battery-backed applications  
- **High-Speed Access:** Suitable for embedded systems and cache applications  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures easy interfacing with other logic circuits  
- **Three-State Outputs:** Allows bus sharing in multi-device systems  
- **Reliable Data Retention:** Maintains data with minimal power in standby mode  

This SRAM is commonly used in industrial, automotive, and consumer electronics requiring fast, low-power memory solutions.

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM The TC55257BFL-85 is a 262,144-bit high-speed static random access memory (SRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 32K words × 8 bits  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 85ns (max)  
- **Operating Current:** 40mA (max)  
- **Standby Current:** 10μA (max) (CMOS level)  
- **Package:** 28-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  

### **Descriptions:**
- The TC55257BFL-85 is a low-power CMOS SRAM designed for high-speed applications.  
- It features a fully static operation, requiring no clock or refresh cycles.  
- The device is compatible with TTL levels for easy interfacing with microprocessors.  

### **Features:**
- **High-Speed Access:** 85ns maximum access time.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 40mA (max)  
  - Standby current: 10μA (max) (CMOS level)  
- **Wide Operating Voltage Range:** 4.5V to 5.5V.  
- **Fully Static Operation:** No refresh required.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Easy integration with standard logic circuits.  
- **Tri-State Output:** Allows bus-oriented applications.  
- **Reliable Operation:** Industrial temperature range (-40°C to +85°C).  

This SRAM is suitable for applications requiring fast, low-power memory, such as embedded systems, networking devices, and industrial controls.

SILICON GATE CMOS 32,768 WORD X 8 BIT STATIC RAM