### **Specifications:**  
- **Organization:** 128K words × 8 bits  
- **Access Time:** 70ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Power Dissipation:**  
  - Active: 400mW (max)  
  - Standby: 0.5mW (max)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Package:** 32-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Technology:** CMOS  
- **Data Retention Voltage:** 2V (min)  
- **Tri-State Outputs:** Yes  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Operation:** 70ns access time.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures low power in both active and standby modes.  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with TTL logic levels.  
- **Single 5V Power Supply:** Simplifies system design.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Suitable for commercial applications.  
- **Data Retention Mode:** Maintains data at reduced voltage (2V min).  

This SRAM is commonly used in applications requiring fast, low-power memory, such as embedded systems, industrial controls, and computing peripherals.