TC551001CP55 The TC551001CFT-85L is a 1M-bit (128K x 8-bit) CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 128K words × 8 bits  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 85 ns  
- **Operating Current:** 40 mA (max)  
- **Standby Current:** 10 µA (max) (CMOS level)  
- **Package:** 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Data Retention Voltage:** 2V (min)  
- **Pin Configuration:** Compatible with other 128K × 8 SRAMs  

### **Descriptions:**
- **Technology:** CMOS  
- **Type:** Asynchronous SRAM  
- **Functionality:** Non-volatile data retention in standby mode  
- **Interface:** Parallel  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures low standby current.  
- **High-Speed Operation:** 85 ns access time suitable for various applications.  
- **Wide Voltage Range:** Operates reliably within 4.5V to 5.5V.  
- **Easy Replacement:** Pin-compatible with other 128K × 8 SRAMs.  
- **Data Retention:** Maintains data with minimal power in standby mode.  

This SRAM is commonly used in embedded systems, industrial controls, and other applications requiring fast, low-power memory.

TC551001CP55

TC551001CP55 The TC551001CFT-85L is a 1Mbit (128K x 8) CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 128K words × 8 bits  
- **Operating Voltage:** 4.5V to 5.5V  
- **Access Time:** 85ns  
- **Operating Current:** 40mA (typical)  
- **Standby Current:** 10µA (typical)  
- **Package:** 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Data Retention Voltage:** 2V (minimum)  

### **Descriptions:**  
- The TC551001CFT-85L is a high-speed, low-power SRAM designed for applications requiring fast access times and battery backup capability.  
- It features a fully static operation, meaning no clock or refresh cycles are required.  
- The device is compatible with TTL levels and supports asynchronous read/write operations.  

### **Features:**  
- **High-Speed Access:** 85ns maximum access time.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Operating current: 40mA (typical at 5V, 85ns).  
  - Standby current: 10µA (typical with CMOS level input).  
- **Wide Voltage Range:** Operates from 4.5V to 5.5V.  
- **Fully Static Operation:** No refresh cycles needed.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures easy interfacing with standard logic circuits.  
- **Battery Backup Capable:** Data retention at voltages as low as 2V.  
- **Three-State Outputs:** Supports bus-oriented applications.  

This SRAM is commonly used in embedded systems, industrial controls, telecommunications, and other applications requiring fast, non-volatile memory.

TC551001CP55