SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM The TC551001BFTL-70L is a 1Mbit (128K x 8) CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 128K words × 8 bits  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 70ns  
- **Operating Current:** 40mA (max)  
- **Standby Current:** 10µA (max)  
- **Package Type:** 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Data Retention Voltage:** 2V (min)  

### **Descriptions:**  
- High-speed, low-power CMOS SRAM  
- Fully static operation (no clock or refresh required)  
- TTL-compatible inputs and outputs  
- Single 5V power supply  
- Battery backup capability for data retention  

### **Features:**  
- **Fast Access Time:** 70ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active: 40mA (max)  
  - Standby: 10µA (max)  
- **Easy Interface:** Directly compatible with most microprocessors  
- **High Reliability:** CMOS technology ensures stable performance  
- **Wide Operating Temperature Range:** Suitable for commercial applications  

This SRAM is commonly used in embedded systems, industrial controls, and other applications requiring fast, non-volatile memory.

SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM

SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM The TC551001BFTL-70L is a 1M-bit (128K x 8-bit) CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Density:** 1M-bit (131,072 words × 8 bits)  
- **Organization:** 128K × 8  
- **Supply Voltage:** 5V ± 10%  
- **Access Time:** 70ns  
- **Operating Current:** 40mA (max)  
- **Standby Current:** 10μA (max) in CMOS standby mode  
- **Package:** 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Data Retention Voltage:** 2V (min)  

### **Descriptions:**  
- **Type:** High-speed CMOS static RAM  
- **Functionality:** Fully static operation, no clock or refresh required  
- **Interface:** Parallel (8-bit data bus)  
- **Control Signals:** Chip Enable (CE), Output Enable (OE), Write Enable (WE)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 40mA (max)  
  - Standby current: 10μA (max) in CMOS mode  
- **High-Speed Access:** 70ns access time  
- **Wide Operating Voltage:** 4.5V to 5.5V  
- **Fully Static Operation:** No refresh cycles needed  
- **Three-State Output:** Supports bus-oriented systems  
- **Data Retention:** Guaranteed at 2V (min) supply voltage  
- **Compatible with TTL:** Input/output levels compatible with TTL  

This SRAM is suitable for applications requiring low-power, high-speed memory, such as embedded systems, industrial controls, and telecommunications equipment.

SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM