SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM The **TC551001BFL-85L** is a **1M-bit (128K x 8-bit) CMOS Static RAM (SRAM)** manufactured by **Toshiba**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 128K × 8-bit  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 85 ns  
- **Operating Current:** 40 mA (max)  
- **Standby Current:** 10 µA (max)  
- **Package:** 32-pin **TSOP (Type I)**  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  

### **Features:**  
- **Fully Static Operation** (no clock or refresh required)  
- **Low Power Consumption** (TTL-compatible standby mode)  
- **Single 5V Power Supply**  
- **Tri-State Output**  
- **Data Retention Voltage:** 2V (min)  
- **Compatible with High-Speed µP Systems**  

### **Applications:**  
- **Embedded Systems**  
- **Industrial Controls**  
- **Telecommunications Equipment**  
- **Battery-Powered Devices**  

This SRAM is designed for high-performance, low-power applications requiring fast access times.

SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM

SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM The TC551001BFL-85L is a 1Mbit (128K x 8) CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 128K words × 8 bits  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 85ns  
- **Operating Current:** 40mA (max)  
- **Standby Current:** 10μA (max) in CMOS standby mode  
- **Package:** 32-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Data Retention Voltage:** 2V (min)  

### **Descriptions:**
- **Type:** High-speed, low-power CMOS SRAM  
- **Interface:** Parallel  
- **Technology:** Fully static operation, no clock or refresh required  
- **Applications:** Embedded systems, industrial controls, telecommunications, and consumer electronics  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures low standby current.  
- **High-Speed Operation:** 85ns access time suitable for performance-critical applications.  
- **Wide Operating Voltage Range:** Supports 4.5V to 5.5V.  
- **Fully Static Design:** No refresh cycles needed.  
- **Tri-State Output:** Allows direct connection to a common bus.  
- **Data Retention:** Maintains data with minimal power in battery backup applications.  

This SRAM is designed for applications requiring fast, reliable, and low-power memory storage.

SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM

SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM The **TC551001BFL-85L** is a **1Mbit (128K x 8-bit) CMOS Static RAM (SRAM)** manufactured by **Toshiba**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 128K × 8-bit  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 85 ns  
- **Operating Current:** 40 mA (max)  
- **Standby Current:** 10 μA (max)  
- **Package:** 32-pin **TSOP (Thin Small Outline Package)**  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Technology:** CMOS  

### **Features:**  
- **Low power consumption** (both active and standby modes)  
- **Fully static operation** (no clock or refresh required)  
- **TTL-compatible** inputs and outputs  
- **Single 5V power supply**  
- **Tri-state output** for bus compatibility  
- **High reliability** with CMOS technology  

This SRAM is designed for applications requiring **high-speed, low-power memory**, such as embedded systems, industrial controls, and telecommunications.

SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM