60 ns, 1-bit generation dynamic RAM The TC514100ASJ-60 is a 1M x 4-bit (512K x 8-bit) high-speed CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Toshiba.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 1M x 4-bit (512K x 8-bit)  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Package:** 32-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Current: 80mA (max)  
  - Standby Current: 10mA (max)  
- **Tri-State Outputs**  
- **Fully Static Operation** (no clock or refresh required)  
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs**  
- **Single 5V Power Supply**  

### **Features:**  
- High-speed access time (60ns)  
- Low power consumption in both active and standby modes  
- No need for external refresh circuitry  
- Compatible with standard TTL logic levels  
- Suitable for battery-backed applications due to low standby current  

This SRAM is commonly used in embedded systems, networking equipment, and other applications requiring fast, non-volatile memory.

60 ns, 1-bit generation dynamic RAM