### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon NPN epitaxial planar transistor  
- **Application:** High-speed switching  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 200mW  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability and performance.  
- Suitable for use in electronic circuits requiring fast response times.  
- Compact and efficient for use in various electronic devices.  

For exact datasheet details, refer to the official Toshiba documentation.