N-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET The STB25NM60N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-to-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 100A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
The STB25NM60N is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other industrial applications.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged environments.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness under extreme conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **Optimized for High-Speed Switching:** Suitable for SMPS, inverters, and motor drives.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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