N-CHANNEL 550V @ TjMAX The STB25NM50N-1 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 100A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.13Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB25NM50N-1 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and high efficiency in power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 500V applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Provides good thermal performance.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL 550V @ TjMAX