N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET The **STB21NM60N** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 8.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 240pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The **STB21NM60N** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for efficient switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in industrial, automotive, and consumer electronics.  

### **Features:**
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low gate charge for fast switching**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))**  
- **100% avalanche tested**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This MOSFET is commonly used in **switched-mode power supplies (SMPS), motor control, and high-efficiency power conversion systems**.

N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET