N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET The **STB21NM60N-1** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **R_DS(on) (Max):** 0.19Ω (at V_GS = 10V, I_D = 9.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (Min), 5V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (Typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (Typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (Typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (Typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (Typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (Typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The **STB21NM60N-1** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low conduction losses and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees robustness.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in:  
- Switch-mode power supplies (SMPS)  
- Motor drives  
- Lighting applications  
- Industrial inverters  

For detailed technical information, refer to the **STMicroelectronics datasheet**.

N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET