### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 21A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 84A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 250pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching applications**.  
- **Low gate charge** for fast switching performance.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** reduces conduction losses.  
- **Avalanche ruggedness** ensures reliability in harsh conditions.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
- Suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), motor control, and industrial applications**.  

This MOSFET is optimized for **high-voltage, high-current switching** while maintaining low power losses.