N-CHANNEL 600V The **STB20NM60-1** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The **STB20NM60-1** is a **N-channel 600V MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), motor control, and industrial applications**.

### **Features:**  
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low gate charge** for improved switching performance  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **100% avalanche tested**  
- **Fast intrinsic diode** for reduced switching losses  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-CHANNEL 600V