STB20NM50T4

N-CHANNEL 550V @ Tjmax The **STB20NM50T4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The **STB20NM50T4** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching performance**, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and inverters.

### **Features:**
- **High voltage capability (500V)**  
- **Low gate charge** for improved switching efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Low thermal resistance** for better heat dissipation  
- **100% avalanche tested**  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

The device is packaged in **TO-263 (D²PAK)**, which provides good thermal performance for high-power applications.  

(Source: STMicroelectronics datasheet)

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