N-CHANNEL 500V 0.20 OHM 20A D2PAK FDMESH POWER MOSFET The STB20NM50FD is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Package:**
- **TO-263 (D²PAK)**  

### **Description:**
The STB20NM50FD is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**
- **High voltage capability (500V)**  
- **Low gate charge**  
- **Low R_DS(on) for reduced conduction losses**  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **Improved dv/dt capability**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL 500V 0.20 OHM 20A D2PAK FDMESH POWER MOSFET